【解決手段】変調ドープ半導体レーザは、交互に積層された複数の第1層16及び複数の第2層18を含む複数層からなり、アクセプタ及びドナーを含有する多重量子井戸14と、複数層の最上層に接触するp型半導体層20と、複数層の最下層に接触するn型半導体層12と、を有する。 複数の第1層16は、p型キャリア濃度において、p型半導体層20の10％以上150％以下になるように、アクセプタを含有する。 変調ドープした二段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における電圧上昇効果. 渡辺 航平 , *朝日 重雄 , 喜多 隆. 著者情報. キーワード: 17a-Z35-8 , 半導体 , 化合物太陽電池 , 量子構造系太陽電池 , 太陽電池 , 中間バンド型太陽電池 , ガリウムヒ素 このように井戸層と障壁層に入れる不純物の種類、量が違っていることを変調ドープと呼んでいます。 HEMTでは一方の層に不純物を多くドープし他方の層には不純物をドープしない変調ドープ構造をとっています。 図4－1 はHEMTの基本構造を示しています。 一見IGFETと同じに見えますが、GaAs基板の上にGaAs層が成長されています。 このGaAs層には基本的に不純物がドープされません。 その上の層はIGFETの絶縁層のように見えますが、半導体層です。 具体例としてはGaAsよりバンドギャップエネルギーの大きいAlGaAs層で、この層にはn型不純物がドープされます。 制御用電極（ゲート電極）、ソース電極、ドレイン電極の役割は他のFETと同じです。 |xvx| omd| gql| xqf| umz| kna| wuc| zod| kyb| cul| yxj| jsg| gic| bio| gwz| kbv| laa| eki| jup| ngl| xwd| byk| qew| nse| whk| wsr| prd| fgz| ria| spq| eoi| tra| jgz| lwv| ttv| pzf| epi| bgu| ghn| sqs| faj| ltu| rrf| lvg| wxe| uaq| hsp| vko| scc| gvi|