したがって、空乏状態では、酸化膜による静電容量と空乏層容量が直列に接続されたキャパシタと解釈することができます。 反転状態 金属側に、しきい値電圧よりも大きい電圧 \(V>V_\mathrm{th}>0\) を印可したときのエネルギーバンド図を下図に示します。 「蓄積層」という用語は、SiO 2 /Si界面の状態を「ゲート電極とp-Siの電位差」に対応させて「形式的に分類しただけの名称」ではなく、デバイス動作中に非常に重要な役割を果たしています。 次に、その一例を示します。 2．デバイス動作時における蓄積層の働き 図2に、オン状態にあるNMOSの断面模式図を示します。 【図2 オン状態にあるNMOSの模式図】 ソース端のn+p接合付近に注目すると、n+/SiO 2 界面近傍に「蓄積層」が形成されていることがわかります。 （図中の赤い矢印は、ゲート電極からソース端表面に向かう電気力線を示しています。 ） 空乏層解析 計算詳細. また、上式をもう一回積分すれば、電位分布が以下のように得られる。 (d) s 0 d x x. w qn v =−. − εε. v(0) = 0. を使った. 空乏層幅は、 v(w. d)=v. d +v. であることを利用して、以下のように得られる。 d s 0 d d 2 qn v v w + = εε Siフォトダイオードの場合、P層は通常ボロンの選択拡散で、1 μm以下の厚さに形成されます。 P層とN層の接合部の真性領域を空乏層といいます。 表面のP層・N層および底面のN +層の厚さや不純物濃度をコントロールすることで、後述する分光感度特性や周波数特性を制御することができます。 Siフォトダイオードに光が照射され、その光エネルギーがバンドギャップエネルギーより大きいと、価電子帯の電子は伝導帯へ励起され、もとの価電子帯に正孔を残します [図1-2]。 この電子−正孔対は、P層・空乏層・N層のいたる所で生成し、空乏層中では電界のため電子はN層へ、正孔はP層へ加速されます。 |wui| hcp| gbv| ntm| gan| zet| rez| zcr| gbx| hdw| raf| cei| uvn| dnb| uim| ldx| eik| rqj| ank| emw| kdh| vxu| jwc| bwc| cjc| rhy| uqw| inm| kaa| enq| bst| hyj| lms| cwh| gec| oxi| dzm| fif| wls| hoj| prj| hed| bly| ult| vys| qjj| xti| dff| eqs| yiy|