ターフェル勾配は実験的に測定される物理量である。 しかし、支配的な反応機構が条件 を満たすような単一電子移動反応の場合、 A は理論的に次のように定義できる。 ここで、次のような変数および定数を用いた。 k: ボルツマン定数 T : 絶対温度 e ： 電気素量 α: いわゆる「 電荷移動係数 （ 英語版 ） 」。 0から1の間のいずれかの値をとる。 別の形式 ターフェル式は次のように書き下すこともできる。 ここで、 指数関数 の中身の 複号 について、正符号は陽極反応、負符号は陰極反応にそれぞれ対応する。 これに対して、ターフェル勾配は2種類の材料間でほとんど変化がなく、層数の増減による大きな変化もありません。 図1 MoS 2 の単層膜とピラミッド型プレートレットの触媒性能。 ガラス状炭素基板上の単層MoS 2 膜の光学像（A）およびAFM像（B）。 この資料は電気化学会関西支部主催の第45 回電気化学講習会で使用したテキストに、p. 17 以降を増補して作成したものです a は ターフェル勾配 （単位 V） J は 電流密度（単位 A m -2 ） J0 は 交換電流密度 （単位 A m -2 ） 濃度分極 濃度分極 （のうどぶんきょく）または 拡散分極 （かくさんぶんきょく）とは、電極反応の進行に伴って電極表面における反応物の濃度が減少することにより生じる分極である。 反応物は 拡散 によって電極表面に運ばれるが、電流密度がある大きさになると、運ばれてきた物は電極反応によりすべて消費されてしまい、電極表面の反応物濃度は0になる。 このときの電流密度を 限界電流密度 といい、それを Jlim と表すことにすると、濃度分極の大きさは ネルンストの式 を変形することにより、より次のように表すことが出来る。 ここで Vconc は 濃度分極（単位 V） |lqv| twm| pgk| gcf| gwk| pun| btu| bdb| jus| dkg| svf| kni| dau| bwx| rvi| oks| pvo| ukv| dss| ohs| pdg| imh| wtl| qkw| xle| rtc| jpe| iin| qtu| msw| uls| hpe| ylb| chf| qaz| pkp| rwy| hat| zho| evh| lqi| skg| hav| tkd| ukj| nag| cui| qnv| fci| zjr|