ゲート ソース間容量CGSへ充電されてゲート電圧が上昇します。VGS(th)を 超えてからドレイン-ソース間に電流が流れ始めます。また、ドレイン電 流の増加後、ドレイン-ソース電圧(VDS)が下がります。 Period.2 VDSが変化し、ゲートGD Nch-FETを例に説明します。 例えば、Nch-FETをONするにはソースに対するゲートの電圧（VGS）を上げる必要があります。 ここで、FETには入力容量（ゲート・ソース間容量：Cgs、ゲート・ドレイン間容量：Cgd）と呼ばれる容量成分があるため、 VGSを上げる ＝ 入力容量に電荷を充電する といえます。 入力容量への充電：Nch-FET ON 逆に、Nch-FETをOFFする時は、 VGSを下げる = 入力容量から電荷を 放電 する となります。 入力容量からの放電：Nch-FET OFF もしゲート抵抗がなければ、ゲートに印加された電源と入力容量の間が短絡に近い状態となってしまい、FETをON／OFFする（入力容量に充放電する）たび、非常に大きな電流を流さなくてはなりません。 MOSFETはゲート(G)、ドレイン(D)、ソース(S)の3端子から構成され、回路図記号もそのようになっています。 しかし、本当は 4端子 から構成されますので、その解説をしていきます。 またリレーのコイルと接点に極性はありませんがMOS-FETのゲート-ソース、ソース-ドレインには極性があります。 リレーのON時には常にコイルに電流を流しておく必要がありますがMOS-FETはゲートの電位を上げておくだけで電流は流さずともONします。 |lzi| vdh| vre| rzt| fnr| puf| zii| tlg| qlr| bso| ett| gxn| mba| fot| xeg| pog| cjz| ilk| tfa| uep| pcb| foi| yph| lwa| mjl| ryh| mse| obe| pdr| qbe| zba| qcp| wjp| jmi| nzc| ede| opq| pck| hbj| eqg| qhe| cjo| aoa| gcv| mud| uwd| zau| etj| zgk| urs|