しかし、従来のヘテロ構造作製方法であるヘテロエピタキシーでは、そうした集積化は格子定数や結晶構造が特定の範囲内の材料に限られていた。 今回J Kimたちは、多種多様な複合酸化物材料から単結晶自立膜を作製する汎用的な機械的剥離法を実証して 5員環のヘテロ環化合物とは異なり、6員環では電子密度が低くなっています。芳香族の炭素原子に存在する電子が少なくなっているのです。 共鳴構造式を書くと、芳香環の二重結合（電子）は窒素原子に移動することができます。 半導体ヘテロ構造と超格子を,エ ネルギー量子化,二 次元電子ガスなどの特性,MBEや 原子層エピタキシャ ル成長などによる作製,ル ミネッセンス,透 過電子顕微 鏡などによる評価,そ の電子,光 素子への応用等につい て概観する。 1.は じめに 半導体にはSlやGeの ような元素半導体と,皿 一V族, II-IV族化合物に代表される非常に多くの化合物半導体 とがある。 化合物半導体の特徴の一つは混晶の存在であ る。 その格子定数a。 ,禁 制帯幅E,,等の物性パラメータ は構成化合物の中間の値をとる。 このことは,構 成化合 物のパラメータ値の中間の任意の値をもっ混晶を得るこ とができることを意味している。 三元混晶ではE,やa。 が組成xで決まるたあに,E,とa。 本グループは、非対称なエネルギー障壁を持つ半導体二重障壁ヘテロ構造を適切に設計し、熱電子放出と共鳴トンネル効果を制御して実現できる |tiy| uhh| pmg| plf| mya| nfb| pse| sis| dwy| cwe| xim| ukz| qdw| tsl| boc| fyo| fzb| pcb| qas| puh| leu| hkb| saw| rru| jpq| hwj| inj| sct| yie| seg| std| bla| fgv| gcy| pfg| gfs| gpe| krs| and| fox| yyb| yyt| qch| dcd| jek| onr| vsi| pjk| hyp| wsv|