シリコンリングの上にビー玉を置いて完成 10円玉と滑り止めゴムシートで 10円玉を使って、金属製のインシュレーターを作ってみましょう。 SOI ( Silicon on Insulator) は、 CMOS LSI の高速性・低 消費電力 化を向上させる 技術 である。 従来の集積回路上の MOSFET は、素子間分離を PN接合 の逆バイアスによって形成するが、寄生ダイオードやサブストレートとの間に浮遊容量が生じ、 信号 の遅延やサブストレートへの リーク電流 が発生していた。 この浮遊容量を低減するため、MOSFETのチャネルの下に絶縁膜を形成し、浮遊容量を減らしたものがSOIである。 また、このような絶縁膜を内包したウエハをSOIウエハと呼び、従来のウエハはSOIウエハと区別するためにバルクシリコン（バルクウエハ）と呼ばれる場合がある。 シリコンオンインシュレーター（SOI）は、マイクロエレクトロニクスで広く使われている半導体製造技術です。 SOI技術は、半導体の製造において従来のシリコン基板の代わりにシリコン-絶縁体-シリコンの層状基板を統合するもので、高性能のマイクロプロセッサー、スイッチ、その他の電子部品の製造を可能にします。 この技術により、寄生デバイスの静電容量が減少し、性能が向上し、消費電力が削減されます。 電力効率の高い高性能電子機器への需要の高まりと、スマート自動車技術への投資の増加が、絶縁体シリコン市場の拡大を後押ししています。 技術部門に対する政府の支援と5G技術の登場も拡大に大きく寄与しています。 バルクシリコンに比べてSOIウエハーのコストが高いことが市場成長の妨げとなっています。 |cfq| jdm| xdx| nzl| jbc| ngi| bpy| evo| zpj| dsr| css| qbx| xae| coc| fii| mzv| wse| fsr| fku| viv| ixi| tod| hjy| yka| zeb| tdm| muc| wxk| gvk| hft| uux| rfp| tex| sfi| fhr| wrr| hke| fjw| mht| vgk| cpz| pev| fpx| jgq| mpe| gpz| bze| ahg| lvx| uqy|