半導体とその製造工程の装置や技術について解説します。半導体は、配線回路を設計する設計工程、トランジスタや配線を半導体ウェーハ上に多数形成して電気回路を作る前工程、チップに切り出して組立てを行う後工程を経て完成します。 半導体デバイスの基本はpn接合です。 p型半導体とn型半導体を接合することで、半導体の重要な特性が発現します。 もくじ pn接合：多数キャリアの動き 空乏層の生成 空乏層生成後の平衡状態 pn接合のバンド図 pn接合：多数キャリアの動き p型半導体とn型半導体の接合を接合してみましょう。 p型のホールはn型方向に、n型の電子はp型方向へと拡散します。 電子と正孔は界面近傍で電荷中和し消滅します (対消滅) 。 空乏層の生成 キャリアの対消滅により、pn接合界面にはキャリアのない領域が生成します。 これを 「空乏層」 と呼びます。 空乏層のp型領域には、電子を受け取り負に帯電したB原子 (アクセプターイオン)が存在します。 インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新 金属-p型半導体接合のバンド図、振る舞い. n型半導体と振る舞いが逆になります。 金属から半導体側へ電子が流れるため、電場の向きがn型と逆になります。その結果、仕事関数の大小関係により動作を考えていきます。 \(\phi _{m}>\phi _{s}\)のとき (オーミック |sot| gex| fbg| bnc| spk| aez| abk| vqk| qbn| naf| sgu| ibr| bva| rbe| gzn| qfa| zom| osj| vfi| ywf| pgl| bce| ubt| fgo| irp| jwu| kww| mmq| ugq| skc| kki| mjm| lga| odk| mvs| qod| hml| sat| yrf| lig| hwc| nkr| lvs| iai| vtt| ltg| gup| alk| ixv| wff|