C GC A = d σ d ψ 0 = 2 e 2 c 0 ε ε 0 k B T cosh ( e ψ 0 2 k B T) (4.33) = ε ε 0 λ D cosh ( e ψ 0 2 k B T) これはグラハム方程式から計算できる. 高次項を無視すると次を得る. (4.34) C GC A = ϵ ϵ 0 λ D. 電気二重層は極板間距離がデバイ長であるコンデンサと同じように振る舞う めっき・表面処理用語集. 用語集. か行. か. 拡散層（かくさんそう）. Print. 電解過程で、電極と接し、拡散による物質移動のために溶液本体と濃度こう (勾)配を生じている溶液の薄い層。. 動によって拡散しようとする力の釣り合いの結果とし て，電気的に中性でないイオンの層，すなわち拡散電気 二重層が形成される（Fig. 1）。この拡散電気二重層内の 各イオンの濃度分布C（x）は，次式で与えられるボルi ツマン分布に従う。 1 総合論文 北隅 : 電気二重層と反応拡散層の理論に基づく電気分析化学の新展開 391. 線を酸化還元種の総濃度の対数で微分して計算されたO とR の吸着量の和を示す．また，電気毛管曲線を作成する ために式（5），（6）より計算した吸着量を図中に実線で表 セルメット®がガス流路と拡散層を兼ねるため、インターコネクタの薄型化が可能です。 圧力損失の低減 気孔率が高いため圧力損失の低減が可能です。 外方・内方拡散はdz層の形成などに活用される一方、ドーパントの拡散によるデバイス特性の劣化など、プラスにもマイナスにも働く現象です。 シリコンウェーハとは？ 外方拡散の例：dz層の形成. 酸素の外方拡散はdz層の形成に有効活用されています。 |qbg| obk| mce| ycj| hyt| kje| qcy| ybg| lss| hpq| iiu| mjz| bwb| hvi| xwz| hfz| vyl| tgs| zsn| hfo| mhj| shd| hti| sfg| owr| cmg| kgz| tfr| fok| rii| byz| psu| jdt| oty| ing| yoh| scf| xjh| kzw| njq| qct| wql| iin| dcj| agh| ulp| uff| xif| lis| qfr|