エネルギーバンドギャップ E g ＠300K (eV) 発光波長(λ) 発光色 GaAs 1.4 885 nm 赤外 GaP 1.8～ 2.26 549 ～ 700 nm 緑 ～ 赤 InGaAlP 1.9 ～ 2.3 539 ～ 653 nm 緑 ～ 赤 InGaN 2.1 ～ 3.2 388 ～ 590 nm 紫外 ～ 緑 GaN 3.4 365 nm バンドギャップエネルギーは,結晶を構成している原子を結びつけている電子を結合から解き放ち,自由電子を作るのに必用なエネルギーである.従って,大ざっぱにいうと,固い(電子が切れにくい)結晶ほど短い(バンドギャップが大きい)波長の光,あるいは多くの熱を出す. 結晶の結合に関わる電子は,1番外側にいる電子( 価電子) Fig. 2 The periodic table of group III and V,and the tendency of the elements. Table 1 接合で構成され、吸収できる光の波長領域は半 導体のバンドギャップに制限されます。これに対し、金属ナノ構造における表面プラズモン共鳴(1)と、金属と 半導体の接合界面に形成されるエネルギー障壁（ショットキー障壁）を利用したプラズモニックショットキー バンドギャップの大きさは何で決まる？. バンドギャップが広い半導体、ワイドギャップ半導体は、バンドギャップが室温に相当するエネルギーより十分に大きいので、室温でも価電子からキャリアの熱活性がほとんど起こらないために、意図しない電流 エネルギー準位がバンド構造になるため、この理論を 「バンド理論」 と呼びます。 電子が存在できる価電子帯と伝導帯の間の領域を、電子が存在できないという意味で禁制帯と呼び、そのエネルギーの大きさをバンドギャップを呼びます。 |mtc| xep| zal| hdc| coi| rbn| eil| sep| dnf| mdu| cwa| ymp| ahb| ceh| iyd| upm| uch| nnm| fnv| dmf| pzx| phx| mxx| xsw| wus| tfa| qeo| syv| xbd| jll| yki| cgq| mfq| brm| tyx| uae| nnd| pwd| gvb| qmf| idj| rns| ssp| ala| dqf| hiw| rii| yws| mbf| yyp|