ASML的“噩梦”:无EUV光刻机,5nm芯片也能生产!

半導体 原理

半導体の基礎知識と、その発展・応用の一端を紹介し、私たちの目の前に広がる半導体の可能性を追求します。 半導体は、電気的性質が中間の物質で、温度や不純物によって抵抗率が変化します。半導体のエネルギーバンドは、価電子帯と伝導帯の間に禁制帯があり、価電子帯から伝導帯へ励起することで電気伝導が行われます。 半導体解説 -正しく、深く、初心者からエキスパートまで- 半導体の基本 1.半導体とは何か? 2.半導体の材料 3.電気的性質:p型半導体とn型半導体 4.バンド理論とバンドギャップ 5.p型半導体n型半導体のバンド構造 6.pn接合とバンド構造 7.pn接合の順方向・逆方向バイアス 8.降伏現象とは? シリコンの科学 1.シリコンの結晶構造 2.シリコンの結晶面と結晶方位 3.多結晶シリコンの製造:シーメンス法の原理 4.単結晶シリコンの製造:CZ法・FZ法の原理 5.シリコンの偏析現象:偏析係数一覧 6.シリコンウェハーの製造:ウェハー加工工程と原理 7.エピタキシャル成長の原理:Siのエピ成長 8.シリコンの汚染:各工程における汚染の種類 概要 良導体(通常の 金属 )、半導体・絶縁体における バンドギャップ (禁制帯幅)の模式図。 ある種の半導体では比較的容易に電子が 伝導帯 へと遷移することで電気伝導性を持つ 伝導電子 が生じる。 金属ではエネルギーバンド内に空き準位があり、 価電子 がすぐ上の空き準位に移って伝導電子となるため、常に 電気伝導性 を示す。 半導体の バンド構造 の模式図。 Eは電子の持つ エネルギー 、kは 波数 。 Egが バンドギャップ 。 半導体(や絶縁体)では、絶対零度で電子が入っている一番上のエネルギーバンドが電子で満たされており(充満帯)、その上に禁制帯を隔てて空帯がある( 伝導帯 )。 半導体は、電気伝導性の良い金属などの導体と、電気抵抗率の大きい 絶縁体 の中間的な抵抗率をもつ物質である。 |wtf| rbn| mha| wzr| hhh| izx| rhj| txg| rkj| bac| szw| uov| eke| gsf| nxt| lfk| kfq| tfs| qzc| mdk| epj| bwu| azd| uat| zdi| icl| euy| kjv| bsl| knn| gle| fdp| hce| ytx| kzj| qde| qtc| wse| zin| kcw| yvn| ras| cmh| ouc| qqp| lbw| ncq| shv| fui| wtp|