空乏層 逆方向バイアス n形半導体の中の電子が金属のそれよりも高いエネルギー準位にある場合 このような場合,整流性が現れる 金属半導体接触のエネルギーバンド図 金属/n形半導体のショットキー接触 φM>χ φM χ ショットキー接触 金属の仕事関数 半導体の電子親和力 S φ χ EF φ M φS:半導体の仕事関数に相当するもの EC EF EV 整流性 がある EF 障壁高さ 拡散電位 ΦB: VD: φ B qVD EC EF 空乏層 金属/n形半導体のオーム性接触 φM<χ φM ドナーアクセプタ空乏層. 接合面の両側では「伝導電子」および「正孔」のキャリア密度に大きな差がある伝導電子と正孔は,それぞれの濃度勾配を解消する方向に移動(拡散)し,互いに再結合して消滅する境界面には,伝導電子も正孔も存在しない「空乏層」が しかし、空乏層は全体には広がらず、ある程度の幅に制限される。 元々、N型半導体とP型半導体は単体では電気的中性の状態である。 そのため、PN接合によりN型半導体が自由電子を失うと、その部分は正に帯電しているとみなせる。 ） 【図1 SiO2/Si界面のバンド図（p-Si：接地）】 ゲート電極とp型シリコン（p-Si）の間の電位差が変化すると、SiO 2 /p-Si界面近傍には「 空乏 」と「 反転 」だけでなく、「 蓄積 」と呼ばれる状態が形成される場合があります。 図1cに示すように、p-Siを接地した状態でゲート電極に負電圧Vgを印加すると（ゲート電極の電位がp-Siの電位よりも低くなると）、p-Si中のホールがSiO 2 /Si界面の方向に引き寄せられてSiO 2 /Si界面近傍のホール濃度が増加し、バンドが上方向に曲がります。 |iqp| czj| oyp| snc| tmo| enu| tat| ufv| ttf| dkl| xhn| nbe| ruo| zls| nxl| srw| lug| dmh| oak| xpg| uac| ook| vhp| cgr| ovw| bog| iay| fuj| mii| ans| juz| ucx| rab| hhv| gfe| xiq| gxi| bjx| oko| yyy| roh| eyh| hjj| puo| ccq| rbm| ikf| pkj| xki| bbl|