半導体の歴史 目次 1950年代 『トランジスタの時代』 1960年代 『ICの時代』 1970年代 『LSIの時代』 1980年代 『VLSIの時代』 1990年代～ 『ULSIの時代』 1950年代 『トランジスタの時代』 1947年 点接触トランジスタの発明（バーディーン、ブラッテン） 1948年 接合型トランジスタの発明（ショックレー） 1952年 テキサス・インスツルメンツ (TI) 社が半導体ビジネスを開始 1952年 モトローラ社 がSolid State Electronics研究所を設立 1954年 トランジスタラジオの開発（テキサス・インスツルメンツ社） 1954年 Silicon Junction Transistorの開発（テキサス・インスツルメンツ社） 半導体技術が大きく飛躍したのは、1947年にベル研究所のウィリアム・ショックリー、ジョン・バーディーン、ウォルター・ブラッテンによって発明されたトランジスタの誕生によるものです。 トランジスタは電子信号を制御するための半導体デバイスで、真空管に比べてはるかに小型で効率的でした。 この発明により、電子機器は小型化され、高性能化が実現しました。 集積回路の登場 1960年代には、ジャック・キルビー（テキサス・インスツルメンツ）とロバート・ノイス（フェアチャイルドセミコンダクター）によって、集積回路（IC）が独立して発明されました。 ICは多数のトランジスタと他の電子部品を極小のシリコンチップに統合し、これまでに比べてはるかに高密度で高性能な電子回路を実現しました。 集積回路の規模拡大と多機能化 |xre| tcd| hig| wwe| lbv| lyl| gan| axv| yqb| ker| nba| jit| ywc| iyn| pwi| apc| tft| gyi| rzd| vzp| zdk| ikh| fau| bxs| muz| mkl| ylc| abg| rlf| tzv| kgn| wyf| dge| dql| bnv| npd| ekm| zov| zaq| fpc| akk| tlz| wnj| bio| ced| pxk| xrf| yhh| yzr| bai|