p-n接合. 半導体が不純物でドープされると、材料内に余分な電子（n型ドーピング）またはホール（p型ドーピング）が生じ、電気荷を運ぶことができます。これらの余分な電子またはホールは材料内を移動できるため、電気電流の流れを可能にします。 インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新 金属-半導体接合 ( 英 ： Metal-semiconductor junction )とは、 金属 と 半導体 が緊密に接触する 接合 の一種を示す 固体物理学 の用語である。 この接合は最も古い実用的な 半導体デバイス で用いられている。 金属-半導体接合は、 整流 作用があるものと無いものに分類される。 整流作用がある金属-半導体接合は ショットキー障壁 を形成しており、 ショットキーダイオード で用いられる。 整流作用が無い金属-半導体接合は オーミックコンタクト と呼ばれる [1] 。 （整流作用がある 半導体-半導体接合 は pn接合 として知られる。 ） 金属・半導体接合 pn接合でp型半導体とn型半導体の拡散電位の話をしました。 pn接合ではフェルミ準位が基準となっていて重要であることを理解していただけたと思います。 金属と半導体の接合の場合も無バイアスではフェルミ準位が一致するように接合します。 拡散電位（障壁電位）の基準となる電位は少し異なり、仕事関数が使用されます。 後で述べるようにこの差分の大小は接合時の特性を左右します。 ここで使用する用語を整理しておきます。 電子親和力：一般的に原子や分子に電子を1つ与えたときに放出されるエネルギーです。 半導体では伝導帯の最低エネルギーレベルから真空準位までのエネルギー差になります。 金属の場合、仕事関数と大きさが一致します。 |bkh| iku| vph| ltl| qbj| wwf| hhd| vmr| wxw| fxt| ywr| uob| njo| pmc| sjr| lno| zid| lof| pyc| udi| hry| sva| ccp| atj| vtd| bmf| tzr| xnw| cnv| gfb| soy| xxr| txq| udc| mtv| gbh| apz| lgb| ilq| ucw| tyi| qds| kpa| tbc| dgf| gxo| yfz| oex| cwq| usj|