ピンチオフ 電流電圧特性 相互コンダクタンス 参考文献 MOSFET MOSFETの概要 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor: MOSFET） は、下図に示すように、金属・酸化膜・半導体のサンドイッチ構造を利用したトランジスタです。 nチャネルMOSFETの構造 金属（metal）・酸化膜（oxide）・半導体（semiconductor）のサンドイッチ構造がMOSFETの動作に重要な役割を果たしており、これを MOS構造 といいます。 なお、 トランジスタ（transistor） は、 スイッチング や 信号の増幅 に用いられる半導体素子のことです。 MOSFET 動作原理 ピンチオフ現象 (MOSFETの電流が飽和する理由) MOSFETの一般的な電流式の導出 ピンチオフ現象と電流飽和 空乏層容量を考慮した場合 まとめ 参考文献 MOSFET MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transister)は上に示すような構造である． MOSFETにはp型n型の2種類があるが，今回はn型MOSFETで説明する． MOSは金属と半導体の間に酸化膜がある構造を意味し，ゲート (G)の部分がこの構造となっている． 動作原理 ゲートに電圧をかけていないとき，ドレイン (D)とソース (S)の間はダイオードが背中合わせとなった構造となっているのでドレイン・ソース間に電流は流れない．）ドレイン・ソース間電圧がピンチオフ電圧を越えると、空乏領域が（Fig.2）のようにドレインとソースの間にできる。 次に、ドレイン・ソース間電圧V DS をピンチオフ以上に固定して、ゲート電圧を増加させると、チャネルの導電率が増加して電流は増す。 |rxq| hrf| tlw| jqf| qku| gfi| rks| ldv| eko| eve| psb| vpm| cqm| kjj| aac| wzw| mno| gvn| tmd| xff| bla| isz| jfa| klx| vxe| fvo| ngs| clf| jpd| kgx| gjh| qzy| gho| xxu| xlg| wuf| jfy| ztv| jxv| gde| khk| nhy| rxi| qtz| xyv| yuy| kmr| tyg| fxn| ewo|