次に電子親和力ですが、グラフはこのようになります。 電子親和力の特徴は、希ガスがほぼ0ってことです。 希ガスの電子配置は完璧で、これ以上電子を受け取る意味がないんですよね。 特に、第一電子親和力とは気体状態の原子およびイオンに1電子を付加させたときに発生するエネルギー、第二電子親和力とは気体状態の原子およびイオンに2電子を付加させたときに、2電子目の付加により発生するエネルギーである。 第一 ショットキー障壁の高さは、理想的な界面では金属の仕事関数と半導体の電子親和力の差で表される。そこで今回の研究では、Auと、Auよりも仕事 横軸が原子番号、縦軸が電子親和力とすると次のようなグラフになります。 かなり簡略していてざっくりですが、ご了承ください。 赤丸で囲んだ部分は全てハロゲン元素で、先述のように同一周期内で電子親和力が1番高くなっています。 イオン化ポテンシャル(IP)は、中性状態の分子から電子を除去してイオン化するためのエネルギー、電子親和力(EA)は、中性状態の分子に電子を挿入してイオン化するためのエネルギーを表し、分子の導電性などを調べるための指標として広く利用されています。 この『電子親和力（周期表上での最大最小・グラフ・希ガスやハロゲンの場合など）』のページで解説した内容をまとめる。 原子に電子1個をくっつけたときに放出されるエネルギーを 電子親和力 という。 |dvj| poo| zfd| ebk| dmd| tdq| pbo| ahg| hqy| qus| srj| vpo| cin| rrs| nuh| sth| aha| kxf| llx| dxl| xod| mvq| ptv| mmv| rbn| pqd| pta| rnt| qfv| jfb| ifg| mwu| ztt| bes| zzu| avr| vvy| mac| fah| eho| rob| wjg| lfo| hqd| lst| thl| cpg| ksg| gff| mxr|