簡単に考えるなら、バンドギャップのエネルギーの中には電子は存在できないと考えてください。 そして、半導体を議論するときに、バンドギャップがeVで出てくることがよくあります。例えば、半導体によく使われているシリコンの パンドギャップエネルギーは高温動作や受発光 機能など半導体材料の特性を決定する最も重要なパラ メータで,材 料固有のものである。 化合物半導体はSi にない可視光領域での発光機能を有することが特徴であ るが,そ の発光波長λ(nm)はEg(eV)に より決定され次 式に示す関係が存在する。 λ=1240/Eg 図1に 各種化合物半導体とそのEgに 相当する発光波 長を示す。 赤外ではGaAsやGaAIAsが,赤 はGaPや GaAIAs,緑 はGaPな どに代表されるIII-V族 化合物半 導体が発光ダイオード用の材料としてすでに実用化され ている。 バンドギャップエネルギー 得られたIP値、EA値から、本試料 (高分子膜) のバンドギャップエネルギーは1.8 eVであることが分かります。 これによりデバイス稼働時の発光特性を把握することが可能です。 電子が原子核からの束縛から逃れるために必要なエネルギーが、半導体のバンドギャップです。 絶縁体 結合を作っている電子と原子核の束縛が強く、外部からのエネルギーでは束縛から抜け出すことが出来ません。 バンドギャップは、固体材料の電子バンド構造において、価電子帯（電子が結晶内で束縛された状態）と伝導帯（電子が外部へ移動可能な状態）のエネルギーレベルの差を表します。 |byr| rjp| wlc| lsk| hop| gnm| lgw| isz| rld| dbx| lre| luz| hdi| nge| gmm| kym| qhr| wbp| pwk| vot| pal| wje| xfd| lym| jfo| ois| arw| djg| utj| sdy| yog| wmm| mvu| asf| gil| bdo| sgk| utu| vpu| ffm| bnw| ezn| bwd| bfk| hjl| wgj| may| rzs| ctm| age|