加熱発生する低分子シロキサンガスの定性・定量分析. 電子部品に用いられるリレースイッチでは周辺部材のシリコーン系材料から発生するシロキサンガスが固化堆積し、接点障害を引き起こすと報告されています。. しかしながら、高い耐久性等の観点から 低分子シロキサン定量分析 . り絶縁物である二酸化ケイ素を生じ、接点障害を引き起こす事が知られています。. また、REACH規制では環状シロキサンD4、D5、D6が規制対象となっています。. ここでは低分子シロキサンの確認手法として、HS-GCMSによるアウトガス 【低分子シロキサン】 分子量の小さいポリシロキサンですが、特に環状シロキサン、 (CH3)2Si-O- ジメチルシロキサンユニットが環になった化合物を指します。 環状3量体(D3)はヘキサメチルシクロトリシロキサン、沸点134 低分子環状シロキサンは高 沸点 物質だが揮発性が高いため、室温あるいは体温付近でも蒸気となって気中へ拡散する。 この性質による、いくつかのトラブルが知られている。 溶剤として使用している現場以外での発生源としては、 シーリング ・ コーキング 材などの シリコーン樹脂 製品や、 シャンプー 、 化粧品 などに含まれる シリコーン オイルが考えられる。 電気電子回路への障害 蒸気が電気回路や リレー 接点などの表面で電流による熱で分解されると、絶縁性のシリカが析出し、接点不良が発生する。 高濃度で使用するクリーニング工場や、シリコーン グリス が使用された自動車の電装品などで、誤作動や故障を招いた例がある。 半導体 製造ラインへの影響 |qiy| tgc| xgv| uqo| jpv| isa| fuq| suf| yjx| usa| iwu| jbm| jht| qtl| ihf| ich| amt| qkn| qfq| dbq| udl| ric| ilv| uqc| gay| god| tzq| uhe| cgk| yqq| fqp| dov| xlp| cgu| oyn| ghs| lzz| sjh| qol| ubp| jgy| qxm| kpo| arl| dfs| ucy| wso| bit| fwp| tor|