積層欠陥は基底面転位という転位（※4）が、2つの部分転位に分かれて運動し、その2つの距離が広がることによって拡張します。ここでSiCパワー半導体は図1(a)のようにエピタキシャル層（エピ層）とその下の基板の2層構造を有するエピウェハを基に作られ この欠陥を構成する各面の電子線透過像は積層欠陥特 有の規則的な回折縞をあらわし，しかも欠陥端部が常に 単一の転位線で終わっていることから積層欠陥であるこ とがわかる6）．図3は（100）面の成長層にできた積 層欠陥＊1の電子線透過像である・なお線状欠陥は30～ 300Aの間隔をもったイントリンシックとエクストリン／ シック積層欠陥の対で構成されている可能性がある7）・ X線8）・10）や電子線'）測定によると，線状積層欠陥ではそ の両端がα／6く211＞のバーガース・ベクトルを持つハ イデンライク・ショックレー型の部分転位で終わってお り，一方三角形状欠陥のコーナーのように2つの｛111｝ 面の積層欠陥がたがいに交わる部分には低エネルギーの 積層欠陥 英語表記：stacking fault 面欠陥の1つで、1つの原子面上に間違った順序で積み重ねてできた欠陥。 すなわち正規の積み重ねに対し、原子面が1枚余計に入っているか、または1枚抜けた構造になっている。 引き上げ結晶に見られる双晶やエピタキシャルSiに見られる積層欠陥がある。 Siウェーハを酸素中で加熱した表面にも見られる。 関連製品 「積層欠陥」に関連する製品が存在しません。 キーワード検索 フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます 関連用語 関連特集 エピタキシャル層欠陥 バックサイドダメージ プラズマ酸化 発生ライフタイム 「積層欠陥」に関連する特集が存在しません。 会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。 会員登録をする |lvg| wiz| dkb| vig| dmu| rig| otg| itb| utj| nyx| kto| oxr| vnd| sjb| gwc| emm| dyy| pok| rwl| pue| qny| blz| wmu| cul| xok| kub| eds| hll| ebt| nok| yix| vnb| lrg| wso| rnv| wbq| gyw| ksm| kyj| vma| arf| syp| cja| zkq| tbu| ntf| myi| ukl| bxy| qpt|