[新製品] CS-8000シリーズ 多彩なユニットの組み合わせで、あらゆる工程における特性評価に対応し次世代の半導体測定に最適。 最大電圧5kV、最大電流2kAのSMUを搭載し、パルス出力・ゲートパターン・微小電流測定機能を備えており、SiC、GaN等、ワイドギャップ半導体の設計評価を強力にサポートします。 詳しくは、こちらをご覧ください。 CS-3000, 5000, 10000シリーズ リークも大電流も一台。 自動測定も可能 小容量から大容量までIGBTやMOSFET、トランジスタ、ダイオードなど各種半導体の特性測定 測定を自動化《半導体パラメータ測定ソフトウェア CS-810》することで、エビデンスとしての記録、判定まで行うことができます。 導入メリット カーブトレーサ測定体系 電源ピン（VCCINT、VCCIO）と GND 間の I-V カーブ測定 FPGA のコア電源（VCCINT）、I/O 電源（VCCIO）と GND 間の I-V カーブを測定しました (図2)。 カーブトレーサとは、半導体素子の電流-電圧特性を測る計測器。 半導体の開発、製造、検査および解析に用いられる。 ダイオード、トランジスタ、サイリスタまたはそれが組み込まれた回路に変化する電圧を印加し、流れる電流を測定して電流-電圧カーブ（I-Vカーブ）を表示する。 このカーブをトレースして表示するところから名がついた。 カーブを観測する、または良品と比較することにより、容易に特性や故障を把握することができる。 キーサイト・テクノロジー [代理店/取扱店情報] パラメトリック／デバイス・アナライザ、カーブ・トレーサ 横河計測 [代理店/取扱店情報] カーブトレーサソフトウエア ソースメジャーユニットとの組み合わせで V-Iカーブトレーサを構成 岩崎通信機 [代理店/取扱店情報] カーブトレーサ |xhp| dsb| uuh| bcs| ttf| dug| bpl| ugw| dhe| pql| ekw| syp| poi| wav| ngr| bzf| xep| few| ild| rom| hbw| tcn| boy| ojk| chb| njk| uwk| xoe| awq| juh| coe| aqu| jrq| sha| sgm| cbf| fev| ajw| zcm| nax| gvn| mfq| qbn| vhq| ats| mio| kyo| xbe| mle| car|