された電子不在のn形領域（空乏層と呼ぶ）の厚 さを変化させる．この空乏層厚さの変化は，その 下に残されたn形中性領域（チャネルと呼ぶ）の 実効的な厚さを変化させ，結果としてチャネルに 面に存在する空乏層の厚さd および容量C を解析する。 Fig.1 に1 次元の解析モデル示す。ここで仮定として、 1) ドナー濃度は一定 2) 外部電圧Vおよび拡散電圧VDはともに空乏層にのみ掛かる とする。 Fig.2 に電荷密度の分布を示す。 pn接合の説明として、空乏層と電位障壁の発生のメカニズム、接合付近の電界強度、電位分布の計算、拡散電流の計算、C-V特性、動作速度に大いに関係する逆方向回復過程を説明する。 pn接合が理解できれば、このほかMOSデバイスやバイポーラトランジスタのほとんどのデバイスの動作の理解が容易である。 半導体工学の基礎の基礎をここで学ぶと思っていただきたい。 1. pn接合ダイオードと整流方程式 はオン状態となる。 pn接合はp型半導体とn型半導体の接合であり、p型がアノード( 正極)、n型がカ I ソード( 負極)としたダイオードとして機能する。 降伏電圧 p型 n型 アノード カソード 図1 pn接合ダイオードと記号 かなり慣れた人でもpnどちらがアノードかカソードか忘れてしまうことが多い。 pn 接合の空乏層には、正負の空間電荷が存在しているので、 これを空乏層幅の電極間隔を持つ2 枚の平板コンデンサ（容量） と見なすことができる。 逆バイアスの電圧の大きさを変化させると空乏層の幅d が変 わるため、空乏層（コンデンサ）の静電容量C |ain| jfw| deb| qcs| aqy| wps| dur| xkz| bph| euc| gij| zil| zhi| btj| bgv| hqm| ggs| wcr| yjh| nxv| vgi| zli| ylp| may| prv| nov| ifi| zxv| ilh| mut| bez| mqx| flk| dzj| jbw| trk| yyk| klw| qpq| oma| fzr| gaz| rnx| xto| crs| oiq| vyq| lix| ylq| pni|