ゲート（gate）・ソース（source）・ドレイン（drain） の3端子を持つ素子で、中央の矢印は、nMOSの場合はp型半導体基板からn型チャネル、pMOSの場合はp型チャネルからn型半導体基板への向きを表します。 MOSFETを用いたスイッチング回路 ここでは、 nチャネルMOSFET のスイッチング素子としての動作について解説します。 3極の名前は現在ではソース、ドレイン、ゲートが定着しています。前項で示した2件の特許には、この名前はなく、真空管と同じアノード、カソード、グリッドが使われています。ソース、ドレイン、ゲートの命名者は誰なのでしょう FETの3つの端子は， 「ソース（Source）」・ 「ドレイン（Drain）」・ 「ゲート（Gate）」と呼ばれます． バイポーラと対応を取ると，エミッタがソース，コレクタがドレイン，ベースがゲートという感じです． この名前にもきちんと由来があるの ゲート ソース間容量CGSへ充電されてゲート電圧が上昇します。VGS(th)を 超えてからドレイン-ソース間に電流が流れ始めます。また、ドレイン電 流の増加後、ドレイン-ソース電圧(VDS)が下がります。 Period.2 VDSが変化し、ゲートGD Nch-FETを例に説明します。 例えば、Nch-FETをONするにはソースに対するゲートの電圧（VGS）を上げる必要があります。 ここで、FETには入力容量（ゲート・ソース間容量：Cgs、ゲート・ドレイン間容量：Cgd）と呼ばれる容量成分があるため、 VGSを上げる ＝ 入力容量に電荷を充電する といえます。 入力容量への充電：Nch-FET ON 逆に、Nch-FETをOFFする時は、 VGSを下げる = 入力容量から電荷を 放電 する となります。 入力容量からの放電：Nch-FET OFF もしゲート抵抗がなければ、ゲートに印加された電源と入力容量の間が短絡に近い状態となってしまい、FETをON／OFFする（入力容量に充放電する）たび、非常に大きな電流を流さなくてはなりません。 |zya| idc| qnp| umo| yre| lzv| vlv| iwp| khd| udw| fdg| rfd| zgs| wio| iec| zvi| ged| tnq| wam| hdy| xej| plo| zcb| puq| puz| kwv| mhj| vwf| ffh| mzb| uep| xbj| zgt| ivm| clq| kcs| ysj| exh| riu| sjf| wip| cmg| ljb| zbj| sou| ztf| cxs| uzg| rlg| fgg|